
清空記錄
歷史記錄
取消
清空記錄
歷史記錄



GTCK系列磁控濺射鍍膜設備為單體濺射鍍膜機,多臺分子泵提供優良的真空條件,提供穩定的濺射條件。
設備特點:
腔體尺寸φ1200-φ2000mm
使用陽極層離子源/無柵射頻ICP系統
通過ACS全自動鍍膜控制系統實現全自動鍍膜過程
工件架為多片掛架式/行星結構
無油排氣系統可定制
成膜過程及狀態可多角度觀察
GTCK-800主要規格參數:
真空腔室尺寸 | SUS304 φ800mmx900mm(H) |
工件架 | 多片掛架式裝配結構 |
工件架尺寸 | φ650x500 |
基板回轉速度 | 3r/min-30r/min(可變) |
反應速率控制方式 | 反應速率控制Speedfol/直接反應 |
濺射源 | 旋轉/平面陰極、中頻/直流 |
膜厚控制 | 晶控控制/時間累計控制 |
離子源 | 陽極層離子源/RF-ICP |
真空排氣 | 機械泵+分子泵/低溫泵/+深冷捕集泵 |
基本性能:
極限真空 | 2.5x10-4Pa |
排氣時間 | 大氣-4.0x10-3Pa/15min/常溫空載 |
基板溫度 | 最高150℃ |
工作條件:
空間要求 | 約2.8m(寬)x2.6m(深)x2m(高) |
電源要求 | 3相5線380v50Hz、約45kw |
冷卻水要求 | 60L/min、0.2-0.3MPa、10-35℃ |
壓縮空氣 | 0.6MPa |
設備重量 | 約2000kg |
GTCK系列磁控濺射鍍膜設備為單體濺射鍍膜機,多臺分子泵提供優良的真空條件,提供穩定的濺射條件。
設備特點:
腔體尺寸φ1200-φ2000mm
使用陽極層離子源/無柵射頻ICP系統
通過ACS全自動鍍膜控制系統實現全自動鍍膜過程
工件架為多片掛架式/行星結構
無油排氣系統可定制
成膜過程及狀態可多角度觀察
GTCK-800主要規格參數:
真空腔室尺寸 | SUS304 φ800mmx900mm(H) |
工件架 | 多片掛架式裝配結構 |
工件架尺寸 | φ650x500 |
基板回轉速度 | 3r/min-30r/min(可變) |
反應速率控制方式 | 反應速率控制Speedfol/直接反應 |
濺射源 | 旋轉/平面陰極、中頻/直流 |
膜厚控制 | 晶控控制/時間累計控制 |
離子源 | 陽極層離子源/RF-ICP |
真空排氣 | 機械泵+分子泵/低溫泵/+深冷捕集泵 |
基本性能:
極限真空 | 2.5x10-4Pa |
排氣時間 | 大氣-4.0x10-3Pa/15min/常溫空載 |
基板溫度 | 最高150℃ |
工作條件:
空間要求 | 約2.8m(寬)x2.6m(深)x2m(高) |
電源要求 | 3相5線380v50Hz、約45kw |
冷卻水要求 | 60L/min、0.2-0.3MPa、10-35℃ |
壓縮空氣 | 0.6MPa |
設備重量 | 約2000kg |
